| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.59 грн |
| 33+ | 10.03 грн |
| 100+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.52 грн |
| 9000+ | 3.16 грн |
| 24000+ | 2.95 грн |
| 45000+ | 2.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1412TE85LF Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: S-Mini, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1412TE85LF за ціною від 4.15 грн до 18.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1412TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|