Технічний опис RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R.
Інші пропозиції RN1413(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RN1413(TE85L,F) | Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
RN1413(TE85L,F) | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1516 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN1413(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RN1413(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





