Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1414,LF
RN1414,LF

RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: S-Mini, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1414,LF за ціною від 2.57 грн до 11.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1414,LF RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.55 грн
43+6.97 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF RN1414,LF Toshiba 2DC26E3F4C48D444563CF19A16A12DD52D63C80A77736B1AE401E2CAC61C32F1.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1414,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.55 грн
43+6.97 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF 2DC26E3F4C48D444563CF19A16A12DD52D63C80A77736B1AE401E2CAC61C32F1.pdf
RN1414,LF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.