Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1415,LF
RN1415,LF

RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1415,LF за ціною від 1.25 грн до 11.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1415,LF RN1415,LF Виробник : Toshiba RN1415_datasheet_en_20140301-1627279.pdf Digital Transistors NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 5529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.64 грн
52+6.60 грн
118+2.50 грн
1000+2.21 грн
3000+1.62 грн
9000+1.32 грн
24000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF RN1415,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
44+6.97 грн
100+4.32 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.