RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції RN1417,LF за ціною від 2.59 грн до 11.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN1417,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RN1417,LF | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
RN1417,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
товару немає в наявності |