RN1418,LF Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.14 грн |
| 24+ | 13.01 грн |
| 100+ | 6.13 грн |
| 500+ | 3.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1418,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
Інші пропозиції RN1418,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1418,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RN1418,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |