RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.34 грн |
| 43+ | 7.06 грн |
| 100+ | 4.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції RN1418,LF за ціною від 2.12 грн до 13.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1418,LF | Toshiba |
Digital Transistors NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
на замовлення 11543 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RN1418,LF |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
Digital Transistors NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 11543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.22 грн |
| 39+ | 7.82 грн |
| 100+ | 4.24 грн |
| 500+ | 3.36 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
| 3000+ | 2.56 грн |
| 6000+ | 2.12 грн |