RN1423(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 30.85 грн |
| 43+ | 20.08 грн |
| 100+ | 13.08 грн |
| 500+ | 9.29 грн |
| 1000+ | 7.62 грн |
| 5000+ | 5.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1423(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RN1423(TE85L,F) за ціною від 5.63 грн до 30.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN1423(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RN1423(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA | SOT23 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
RN1423(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |