Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1423TE85LF
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.50 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN1423TE85LF за ціною від 5.00 грн до 34.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
660+18.50 грн
663+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 660
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 22323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
660+18.50 грн
663+18.41 грн
811+15.05 грн
1000+13.53 грн
3000+11.80 грн
6000+10.63 грн
12000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 660
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Виробник : Toshiba RN1423_datasheet_en_20210827-1151028.pdf Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 25012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.98 грн
18+19.88 грн
100+11.26 грн
500+8.61 грн
1000+7.72 грн
3000+5.66 грн
9000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
16+20.31 грн
100+12.81 грн
500+9.00 грн
1000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.