RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.56 грн |
| 14+ | 21.64 грн |
| 100+ | 10.93 грн |
| 500+ | 9.08 грн |
| 1000+ | 7.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 470 Ohms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції RN1425TE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1425TE85LF | Toshiba |
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG |
на замовлення 20530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1425TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 20530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)