на замовлення 10737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 806+ | 15.41 грн |
| 811+ | 15.30 грн |
| 930+ | 13.34 грн |
| 1000+ | 12.27 грн |
| 3000+ | 10.89 грн |
| 6000+ | 10.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1426TE85LF Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції RN1426TE85LF за ціною від 5.21 грн до 35.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba |
 Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG |
на замовлення 5306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RN1426TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |