Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1427TE85LF
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.18 грн
15+20.12 грн
100+12.81 грн
500+9.03 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1427TE85LF за ціною від 6.35 грн до 45.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba 3434413135313645383033333830364443384339374443444430384632424644.pdf Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 11260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.01 грн
15+21.76 грн
100+12.08 грн
500+9.11 грн
1000+8.15 грн
3000+7.25 грн
6000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+45.18 грн
500+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.