Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1427TE85LF
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.87 грн
15+19.94 грн
100+12.70 грн
500+8.95 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1427TE85LF за ціною від 29.78 грн до 48.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.52 грн
500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba 3434413135313645383033333830364443384339374443444430384632424644.pdf Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 11260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF rn1422_datasheet_en_20210827.pdf
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
290+48.52 грн
500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF 3434413135313645383033333830364443384339374443444430384632424644.pdf
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 11260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF rn1422_datasheet_en_20210827.pdf
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF rn1422_datasheet_en_20210827.pdf
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.