Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1502(TE85L,F)
RN1502(TE85L,F)

RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
6000+5.28 грн
9000+4.99 грн
15000+4.38 грн
21000+4.21 грн
30000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - RN1502(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-25, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RN1502(TE85L,F) за ціною від 4.24 грн до 30.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Description: TOSHIBA - RN1502(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.82 грн
500+7.45 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 51559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.70 грн
19+16.74 грн
100+10.52 грн
500+7.34 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Виробник : Toshiba docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.45 грн
20+18.22 грн
100+9.93 грн
500+6.75 грн
1000+5.84 грн
3000+4.85 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Description: TOSHIBA - RN1502(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-25
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.02 грн
46+18.79 грн
100+11.82 грн
500+7.45 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Виробник : Toshiba 236docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1501.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 5-Pin SMV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.