RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.32 грн |
| 18+ | 17.07 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 500+ | 6.61 грн |
| 1000+ | 4.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV, Supplier Device Package: SMV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1507(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1507(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1507(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.