Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1508(TE85L,F)
RN1508(TE85L,F)

RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
19+16.16 грн
100+10.15 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV, Supplier Device Package: SMV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1508(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1508(TE85L,F) RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) RN1508(TE85L,F) Toshiba BDE9102E43EAD72B31E0CE78DAFC8F7503BB8A358349DFCFB325F72D729A02CB.pdf Digital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508
RN1508(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) BDE9102E43EAD72B31E0CE78DAFC8F7503BB8A358349DFCFB325F72D729A02CB.pdf
RN1508(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.