RN1508(TE85L,F)

RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.71 грн
100+10.49 грн
500+7.32 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SMV.

Інші пропозиції RN1508(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1508(TE85L,F) RN1508(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) RN1508(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN1508_datasheet_en_20191209-1609003.pdf Digital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.