RN1511(TE85L,F) Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.45 грн |
| 18+ | 18.20 грн |
| 100+ | 8.93 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 3000+ | 3.94 грн |
| 9000+ | 3.16 грн |
| 24000+ | 2.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1511(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SMV, Supplier Device Package: SMV, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1511(TE85L,F) за ціною від 6.27 грн до 26.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1511(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SMVSupplier Device Package: SMV Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 300mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|