
RN1511(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 25.58 грн |
18+ | 19.04 грн |
100+ | 9.34 грн |
1000+ | 4.71 грн |
3000+ | 4.12 грн |
9000+ | 3.31 грн |
24000+ | 3.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1511(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SMV.
Інші пропозиції RN1511(TE85L,F) за ціною від 6.30 грн до 27.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN1511(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 4175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RN1511(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SMV |
товару немає в наявності |