RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.95 грн |
| 6000+ | 4.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SM6.
Інші пропозиції RN1602(TE85L,F) за ціною від 5.52 грн до 23.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1602(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RN1602(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SM6 |
на замовлення 9440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RN1602(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
товару немає в наявності |