RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.79 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1602(TE85L,F) за ціною від 5.34 грн до 23.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba rn1603_datasheet_en_20191113.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+12.53 грн
1375+10.22 грн
1550+9.07 грн
2000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.09 грн
22+13.86 грн
100+8.67 грн
500+6.02 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) rn1603_datasheet_en_20191113.pdf
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1122+12.53 грн
1375+10.22 грн
1550+9.07 грн
2000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
22+13.86 грн
100+8.67 грн
500+6.02 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.