RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.92 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1602(TE85L,F) за ціною від 5.49 грн до 23.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
22+14.25 грн
100+8.91 грн
500+6.19 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1602(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.73 грн
22+14.25 грн
100+8.91 грн
500+6.19 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.