RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.73 грн |
| 23+ | 13.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V.
Інші пропозиції RN1605TE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1605TE85LF | Toshiba |
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1605TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)