| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.53 грн |
| 26+ | 12.54 грн |
| 100+ | 4.92 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 3000+ | 3.23 грн |
| 9000+ | 2.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1605TE85LF Toshiba
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V.
Інші пропозиції RN1605TE85LF за ціною від 13.48 грн до 22.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1605TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Supplier Device Package: SM6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 250MHz Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 300mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|