RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.73 грн |
| 23+ | 13.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SM6.
Інші пропозиції RN1605TE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1605TE85LF | Toshiba |
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1605TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)