RN1607(TE85L,F)

RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.71 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1607(TE85L,F) за ціною від 4.36 грн до 26.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1607(TE85L,F) RN1607(TE85L,F) Виробник : Toshiba F71BEE42AFDAA5ECDBB822CFE6EAEDC2E567402BA4542D81D86D58C26BB801C6.pdf Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.83 грн
20+16.42 грн
100+9.00 грн
500+6.68 грн
1000+5.91 грн
3000+4.78 грн
6000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) RN1607(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
20+15.77 грн
100+9.91 грн
500+6.92 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.