Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1607(TE85L,F)
RN1607(TE85L,F)

RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1607(TE85L,F) за ціною від 5.98 грн до 26.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1607(TE85L,F) RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.17 грн
20+15.34 грн
100+9.64 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) RN1607(TE85L,F) Toshiba F71BEE42AFDAA5ECDBB822CFE6EAEDC2E567402BA4542D81D86D58C26BB801C6.pdf Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.17 грн
20+15.34 грн
100+9.64 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) F71BEE42AFDAA5ECDBB822CFE6EAEDC2E567402BA4542D81D86D58C26BB801C6.pdf
RN1607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.