Продукція > TOSHIBA > RN1608(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F) Toshiba


rn1607_datasheet_en_20191113.pdf
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4688+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1608(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції RN1608(TE85L,F) за ціною від 6.12 грн до 26.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1608(TE85L,F) RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.17 грн
19+15.64 грн
100+9.85 грн
500+6.88 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.17 грн
19+15.64 грн
100+9.85 грн
500+6.88 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.