Продукція > TOSHIBA > RN1609(TE85L,F)
RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F) Toshiba


RN1609_datasheet_en_20191113-1608979.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 109-118 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.83 грн
23+15.06 грн
100+7.72 грн
1000+6.11 грн
3000+5.00 грн
9000+4.27 грн
24000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1609(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SM6.

Інші пропозиції RN1609(TE85L,F) за ціною від 6.33 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1609(TE85L,F) RN1609(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) Виробник : Toshiba docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 RN1609(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4688+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 4688
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) RN1609(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.