RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.65 грн |
| 19+ | 15.93 грн |
| 100+ | 10.03 грн |
| 500+ | 7.01 грн |
| 1000+ | 6.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SM6.
Інші пропозиції RN1610(TE85L,F) за ціною від 7.54 грн до 7.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1610(TE85L,F) | Toshiba |
RN1610(TE85L,F) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RN1610(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
RN1610(TE85L,F)
RN1610(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4688+ | 7.54 грн |