RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.26 грн |
| 13+ | 25.79 грн |
| 100+ | 14.63 грн |
| 500+ | 9.09 грн |
| 1000+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A.
Інші пропозиції RN1702JE(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1702JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A |
на замовлення 4056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RN1702JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 5-Pin ESV T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
RN1702JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
товару немає в наявності |