RN1703,LF

RN1703,LF Toshiba


3435354436453034343235323044304635413334393234393745443334363135.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.08 грн
31+12.15 грн
100+6.64 грн
500+4.88 грн
1000+4.32 грн
3000+3.68 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1703,LF Toshiba

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1703,LF за ціною від 3.97 грн до 22.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1703,LF RN1703,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.51 грн
23+14.92 грн
100+7.30 грн
500+5.72 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703,LF RN1703,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.