RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 20+ | 14.97 грн |
| 100+ | 9.43 грн |
| 500+ | 6.58 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1703JE(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1703JE(TE85L,F) | Toshiba |
Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1703JE(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)