RN1703JE(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 22.42 грн |
| 25+ | 14.61 грн |
| 100+ | 6.58 грн |
| 1000+ | 5.43 грн |
| 4000+ | 4.36 грн |
| 8000+ | 3.67 грн |
| 48000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1703JE(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ESV.
Інші пропозиції RN1703JE(TE85L,F) за ціною від 6.29 грн до 27.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1703JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ESV |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RN1703JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ESV |
товару немає в наявності |