Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1705,LF
RN1705,LF

RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.25 грн
6000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1705,LF за ціною від 2.63 грн до 22.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1705,LF RN1705,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.93 грн
22+ 12.76 грн
100+ 6.23 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1705,LF RN1705,LF Виробник : Toshiba RN1705_datasheet_en_20191003-1627175.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 38770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.85 грн
17+ 18.27 грн
100+ 8.41 грн
500+ 5.52 грн
1000+ 3.77 грн
3000+ 3.03 грн
9000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 14