RN1706,LF

RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18817&prodName=RN1706
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.28 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV, Part Status: Active, Supplier Device Package: USV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1706,LF за ціною від 2.25 грн до 18.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1706,LF RN1706,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1706 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 8094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
32+9.75 грн
100+6.06 грн
500+4.17 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1706,LF RN1706,LF Виробник : Toshiba RN1706_datasheet_en_20240726-1627381.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.92 грн
100+4.29 грн
1000+3.59 грн
3000+2.81 грн
9000+2.32 грн
24000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.