на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.69 грн |
| 12+ | 26.35 грн |
| 100+ | 17.08 грн |
| 500+ | 11.52 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |
| 2000+ | 7.75 грн |
| 4000+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1706JE(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN1706JE(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1706JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
товару немає в наявності |