Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1707JE(TE85L,F)
RN1707JE(TE85L,F)

RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN1707JE(TE85L,F) за ціною від 5.16 грн до 30.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.79 грн
14+22.01 грн
100+12.45 грн
500+7.74 грн
1000+5.93 грн
2000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba CECA4047CD704558A82F84880073DBD4345757316F1A9363F6DCB55046BBB9BE.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT SOT-553 50V
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.79 грн
14+22.01 грн
100+12.45 грн
500+7.74 грн
1000+5.93 грн
2000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) CECA4047CD704558A82F84880073DBD4345757316F1A9363F6DCB55046BBB9BE.pdf
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT SOT-553 50V
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.