RN1708,LF

RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18819&prodName=RN1709 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+6.53 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1708,LF за ціною від 2.87 грн до 23.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1708,LF RN1708,LF Виробник : Toshiba RN1708_datasheet_en_20191030-1627246.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 7658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.43 грн
19+18.78 грн
100+8.68 грн
500+5.74 грн
1000+3.97 грн
3000+3.68 грн
9000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708,LF RN1708,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18819&prodName=RN1709 Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.