Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1708JE(TE85L,F)
RN1708JE(TE85L,F)

RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.79 грн
14+22.01 грн
100+12.45 грн
500+7.74 грн
1000+5.93 грн
2000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.

Інші пропозиції RN1708JE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE(TE85L,F) Toshiba 11E1CBB3349F6A8FD5927CDF21F9A282E86C6C40FBE4644B4B2EE7162FF24B83.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT SOT-553 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE
RN1708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) 11E1CBB3349F6A8FD5927CDF21F9A282E86C6C40FBE4644B4B2EE7162FF24B83.pdf
RN1708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT SOT-553 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.