Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1710,LF
RN1710,LF

RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
22+13.95 грн
100+6.81 грн
500+5.33 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1710,LF за ціною від 2.21 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1710,LF RN1710,LF Виробник : Toshiba RN1710_datasheet_en_20140301-1627359.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.32 грн
23+15.23 грн
100+5.44 грн
1000+3.75 грн
3000+3.38 грн
9000+2.43 грн
45000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN1710,LF RN1710,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.