RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.04 грн |
| 15+ | 20.84 грн |
| 100+ | 10.54 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| 1000+ | 5.99 грн |
| 2000+ | 5.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN1711JE(TE85L,F) за ціною від 4.71 грн до 33.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1711JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR |
на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1711JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
товару немає в наявності |