Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1711JE(TE85L,F)
RN1711JE(TE85L,F)

RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.08 грн
15+20.20 грн
100+10.22 грн
500+7.82 грн
1000+5.80 грн
2000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN1711JE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba E27F07BEADAFFA13DEEEC41FAAAEC5E35C6830A6E5FF434A08BDEE6BA4700FF1.pdf Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) E27F07BEADAFFA13DEEEC41FAAAEC5E35C6830A6E5FF434A08BDEE6BA4700FF1.pdf
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.