Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1711JE(TE85L,F)
RN1711JE(TE85L,F)

RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
15+20.16 грн
100+10.20 грн
500+7.80 грн
1000+5.79 грн
2000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH, Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1711JE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba E27F07BEADAFFA13DEEEC41FAAAEC5E35C6830A6E5FF434A08BDEE6BA4700FF1.pdf Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) E27F07BEADAFFA13DEEEC41FAAAEC5E35C6830A6E5FF434A08BDEE6BA4700FF1.pdf
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.