RN1711JE(TE85L,F)

RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.86 грн
15+20.72 грн
100+10.48 грн
500+8.02 грн
1000+5.95 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH, Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1711JE(TE85L,F) за ціною від 4.50 грн до 31.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba RN1711JE_datasheet_en_20140301-1627348.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.59 грн
14+23.29 грн
100+11.46 грн
500+7.60 грн
1000+5.84 грн
4000+4.99 грн
8000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE_datasheet_en_20140301-1627348.pdf
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.59 грн
14+23.29 грн
100+11.46 грн
500+7.60 грн
1000+5.84 грн
4000+4.99 грн
8000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.