Продукція > TOSHIBA > RN1902,LF(CT
RN1902,LF(CT

RN1902,LF(CT Toshiba


RN1902_datasheet_en_20211115-1628511.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 10856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.26 грн
17+ 18.41 грн
100+ 5.98 грн
1000+ 4.65 грн
3000+ 3.59 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1902,LF(CT Toshiba

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN1902,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1902,LF(CT RN1902,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN1902,LF(CT RN1902,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній