Продукція > TOSHIBA > RN1902FE,LF(CT
RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT Toshiba

RN1902FE_datasheet_en_20211223-1627356.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 27204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
22+14.83 грн
100+6.83 грн
500+4.53 грн
1000+3.07 грн
4000+2.37 грн
8000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1902FE,LF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.

Інші пропозиції RN1902FE,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.