RN1902FE,LF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 27204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 20.00 грн |
| 22+ | 16.21 грн |
| 100+ | 7.47 грн |
| 500+ | 4.95 грн |
| 1000+ | 3.35 грн |
| 4000+ | 2.59 грн |
| 8000+ | 2.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1902FE,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1902FE,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) |
товару немає в наявності |
|
|
|
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |