RN1902FE,LF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 27204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.48 грн |
22+ | 14.17 грн |
100+ | 6.53 грн |
500+ | 4.33 грн |
1000+ | 2.93 грн |
4000+ | 2.26 грн |
8000+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1902FE,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1902FE,LF(CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |