Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1903,LF(CT

RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN1903,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4304347-3
Price: 316.48 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	19.78 грн
25+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1903,LF(CT

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN1903,LF(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RN1903,LF(CT	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.