RN1903,LXHF(CT

RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP, Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції RN1903,LXHF(CT за ціною від 5.20 грн до 26.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1903,LXHF(CT RN1903,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
16+19.05 грн
100+11.39 грн
500+9.90 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LXHF(CT RN1903,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1903_datasheet_en_20211115-2580036.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.75 грн
16+20.54 грн
100+9.92 грн
1000+6.75 грн
3000+5.91 грн
9000+5.27 грн
24000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.