Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1903FE,LF(CT
RN1903FE,LF(CT

RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
28+11.27 грн
100+5.49 грн
500+4.30 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN1903FE,LF(CT за ціною від 1.84 грн до 18.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN1903FE_datasheet_en_20211223-1627288.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.37 грн
28+12.52 грн
100+4.41 грн
1000+2.65 грн
8000+2.06 грн
24000+1.99 грн
48000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.