RN1903FE,LXHF(CT

RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.88 грн
8000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1903FE,LXHF(CT за ціною від 4.57 грн до 30.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1903FE,LXHF(CT RN1903FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
17+18.21 грн
100+9.18 грн
500+7.63 грн
1000+5.94 грн
2000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LXHF(CT RN1903FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba 82414B76328D132407E245EF5C3A06C4CB2217447DBEF2F4584315059F214183.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.36 грн
18+18.28 грн
100+10.06 грн
500+7.52 грн
1000+6.68 грн
2000+5.91 грн
4000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.