Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1905FE,LF(CT

RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN1905FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 12670251-3
Price: 329.60 UAH
Availability: InStock

RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	16.48 грн
33+	9.84 грн
100+	6.09 грн
500+	4.19 грн
1000+	3.69 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN1905FE,LF(CT

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RN1905FE,LF(CT	Виробник : Toshiba	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RN1905FE,LF(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RN1905FE,LF(CT	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.