RN1905FE,LXHF(CT

RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1905FE,LXHF(CT за ціною від 4.57 грн до 30.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.27 грн
18+17.52 грн
100+11.04 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
2000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba 349C2AE1B3EF655FF02AE254CE3ED96EE01B15E530D1A9EB5C71072B117E8CFC.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.36 грн
18+18.28 грн
100+10.06 грн
500+7.52 грн
1000+6.68 грн
2000+5.91 грн
4000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.