RN1905FE,LXHF(CT

RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1905FE,LXHF(CT за ціною від 4.12 грн до 30.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.63 грн
100+11.10 грн
500+7.76 грн
1000+6.90 грн
2000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1905FE_datasheet_en_20240606-1150860.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.21 грн
19+18.44 грн
100+7.72 грн
1000+5.81 грн
4000+5.00 грн
8000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.