Продукція > TOSHIBA > RN1907,LF(CT
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT Toshiba


RN1908_datasheet_en_20211115-1150895.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.15 грн
20+16.82 грн
100+6.26 грн
1000+3.73 грн
3000+3.02 грн
9000+2.32 грн
24000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1907,LF(CT Toshiba

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1907,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1907,LF(CT RN1907,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CT RN1907,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.