RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN1907FE,LF(CT за ціною від 3.10 грн до 16.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1907FE,LF(CT RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
32+9.34 грн
100+5.78 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1907FE,LF(CT Toshiba 1BFF43B37D7B28AA0CBBEFBD0C15C8638349A452F6746F62809324922D66C806.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
32+9.34 грн
100+5.78 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT 1BFF43B37D7B28AA0CBBEFBD0C15C8638349A452F6746F62809324922D66C806.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.