Продукція > TOSHIBA > RN1908,LF(CT
RN1908,LF(CT

RN1908,LF(CT Toshiba


RN1908_datasheet_en_20211115-1150895.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.02 грн
43+8.04 грн
100+3.53 грн
1000+3.24 грн
3000+2.94 грн
9000+1.99 грн
24000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1908,LF(CT Toshiba

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN1908,LF(CT за ціною від 3.69 грн до 16.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1908,LF(CT RN1908,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CT RN1908,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.