RN1908,LF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.49 грн |
| 43+ | 7.68 грн |
| 100+ | 3.38 грн |
| 1000+ | 3.09 грн |
| 3000+ | 2.81 грн |
| 9000+ | 1.90 грн |
| 24000+ | 1.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1908,LF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1908,LF(CT за ціною від 3.60 грн до 16.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1908,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|