RN1908,LXHF(CT

RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.92 грн
6000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1908,LXHF(CT за ціною від 5.13 грн до 27.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1908,LXHF(CT RN1908,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LXHF(CT RN1908,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1908_datasheet_en_20211115-1150895.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 BRT, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.49 грн
14+23.45 грн
100+12.38 грн
500+10.90 грн
1000+7.52 грн
3000+5.70 грн
9000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.