RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.08 грн |
| 44+ | 7.09 грн |
| 100+ | 4.75 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1909,LF(CT за ціною від 5.27 грн до 21.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1909,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 7001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|