RN1909FE,LXHF(CT

RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.26 грн
8000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1909FE,LXHF(CT за ціною від 4.15 грн до 28.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba 1BFF43B37D7B28AA0CBBEFBD0C15C8638349A452F6746F62809324922D66C806.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
100+20.70 грн
500+11.39 грн
1000+9.92 грн
2000+8.72 грн
4000+4.57 грн
8000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.