Технічний опис RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor).
Інші пропозиції RN1910,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN1910,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1910,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)