RN1910FE,LF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28000+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT за ціною від 2.28 грн до 22.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RN1910FE,LF(CT | Виробник : TOSHIBA |
RN1910FE NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 |
товару немає в наявності |