Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.29 грн
24+12.48 грн
100+6.10 грн
500+4.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT за ціною від 2.06 грн до 20.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN1911FE_datasheet_en_20211223-1150267.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.09 грн
22+14.52 грн
100+4.87 грн
1000+3.29 грн
4000+3.16 грн
8000+2.20 грн
24000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.