Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
24+12.68 грн
100+6.20 грн
500+4.85 грн
1000+3.37 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Toshiba RN1911FE_datasheet_en_20211223-1150267.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223-1150267.pdf
RN1910FE,LF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.