RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.24 грн |
| 24+ | 12.45 грн |
| 100+ | 6.09 грн |
| 500+ | 4.76 грн |
| 1000+ | 3.31 грн |
| 2000+ | 2.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1910FE,LF(CT | Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1910FE,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)