RN1910FE,LXHF(CT

RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.26 грн
8000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1910FE,LXHF(CT за ціною від 4.43 грн до 28.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba 5FA60E1F054C0C78B1B35A2266263BFBC0FAB8A842F57F18591F96AEE5FF0E8B.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
15+22.24 грн
100+12.03 грн
500+8.30 грн
1000+7.10 грн
2000+6.33 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.